Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
13 A
Tension Drain Source maximum
150 V
Série
HEXFET
Type de boîtier
DPAK (TO-252)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
0,295 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
Silicon
€ 4 817,05
€ 1,606 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
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3000
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InfineonType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
13 A
Tension Drain Source maximum
150 V
Série
HEXFET
Type de boîtier
DPAK (TO-252)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
0,295 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
Silicon