Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
13 A
Tension Drain Source maximum
150 V
Séries
HEXFET
Type d'emballage
DPAK (TO-252)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
0,295 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
Silicon
€ 121,87
€ 2,437 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
50
€ 121,87
€ 2,437 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
50
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
---|---|---|
50 - 120 | € 2,437 | € 12,19 |
125 - 245 | € 2,299 | € 11,50 |
250 - 495 | € 2,133 | € 10,66 |
500+ | € 1,967 | € 9,83 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
13 A
Tension Drain Source maximum
150 V
Séries
HEXFET
Type d'emballage
DPAK (TO-252)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
0,295 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
Silicon