Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
13 A
Tension Drain Source maximum
150 V
Série
HEXFET
Type de boîtier
DPAK (TO-252)
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
0,295 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
Silicon
€ 120,01
€ 2,40 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
50
€ 120,01
€ 2,40 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
50
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 50 - 120 | € 2,40 | € 12,00 |
| 125 - 245 | € 2,264 | € 11,32 |
| 250 - 495 | € 2,10 | € 10,50 |
| 500+ | € 1,937 | € 9,68 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
13 A
Tension Drain Source maximum
150 V
Série
HEXFET
Type de boîtier
DPAK (TO-252)
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
0,295 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
Silicon


