MOSFET Infineon canal N, TDSON 100 A 60 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
100 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Séries
OptiMOS™ 5
Type de boîtier
TDSON
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
2,4 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
139 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
5mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6mm
Charge de Grille type @ Vgs
71 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
1.1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Détails du produit
Transistors de puissance MOSFET OptiMOS™5 d'Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 12,72
€ 2,544 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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Single
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±20 V
Largeur
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Matériau du transistor
Si
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Longueur
6mm
Charge de Grille type @ Vgs
71 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
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Hauteur
1.1mm
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MOSFET Transistors, Infineon
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