MOSFET Infineon canal N, TDSON 100 A 100 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
100 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Série
OptiMOS™ 5
Type de conditionnement
TDSON
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
3,5 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.8V
Tension de seuil minimale de la grille
2.2V
Dissipation de puissance maximum
156 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
6.35mm
Longueur
5.49mm
Charge de Grille type @ Vgs
70 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.1V
Hauteur
1.1mm
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€ 5 480,64
€ 1,096 Each (On a Reel of 5000) (hors TVA)
5000
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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Tension de seuil maximale de la grille
3.8V
Tension de seuil minimale de la grille
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Single
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20 V
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1
Largeur
6.35mm
Longueur
5.49mm
Charge de Grille type @ Vgs
70 nC @ 10 V
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