MOSFET Infineon canal N/P, TSOP-6 1,5 A (canal N), -1,5 A (canal P) 20 V (canal N), -20 V (canal P), 6 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N, P
Courant continu de Drain maximum
1.5 A
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Séries
OptiMOS™
Type d'emballage
TSOP-6
Type de montage
CMS
Nombre de broche
6
Résistance Drain Source maximum
250 mΩ, 280 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
0.6 V, 1.2V
Tension de seuil minimale de la grille
0.7 V, 1.2V
Dissipation de puissance maximum
0,5 W
Configuration du transistor
Isolated
Tension Grille Source maximum
-12 V, +12 V
Largeur
1.6mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
2
Longueur
2.9mm
Charge de Grille type @ Vgs
0,73 nC @ 4,5 V, 3 nC @ 5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.1V
Détails du produit
Transistor de puissance MOSFET double Infineon OptiMOS™
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 17,61
€ 0,294 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
60
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TSOP-6
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CMS
Nombre de broche
6
Résistance Drain Source maximum
250 mΩ, 280 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
0.6 V, 1.2V
Tension de seuil minimale de la grille
0.7 V, 1.2V
Dissipation de puissance maximum
0,5 W
Configuration du transistor
Isolated
Tension Grille Source maximum
-12 V, +12 V
Largeur
1.6mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
2
Longueur
2.9mm
Charge de Grille type @ Vgs
0,73 nC @ 4,5 V, 3 nC @ 5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.1V
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Transistor de puissance MOSFET double Infineon OptiMOS™
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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