MOSFET Infineon canal N, SOT-223 120 mA 600 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
120 mA
Tension Drain Source maximum
600 V
Type de boîtier
SOT-223-5
Série
SIPMOS®
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
45 Ω
Mode de canal
Depletion
Dissipation de puissance maximum
1.8 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
3,7 nC @ 5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
3.5mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.5mm
Hauteur
1.6mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
Malaysia
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N Infineon SIPMOS®
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 473,92
€ 0,474 Each (On a Reel of 1000) (hors TVA)
1000
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
1000
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| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | € 0,474 | € 473,92 |
| 2000 - 2000 | € 0,45 | € 450,05 |
| 3000+ | € 0,422 | € 421,64 |
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N
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Série
SIPMOS®
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CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
45 Ω
Mode de canal
Depletion
Dissipation de puissance maximum
1.8 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
3,7 nC @ 5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
3.5mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.5mm
Hauteur
1.6mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
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Malaysia
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