Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
2.9 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de boîtier
SOT-223-5
Séries
SIPMOS®
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
120 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2.1V
Dissipation de puissance maximum
1.8 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
9,7 nC @ 10 V
Largeur
3.5mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.5mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
1.6mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N Infineon SIPMOS®
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
€ 59,33
€ 0,593 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
100
€ 59,33
€ 0,593 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
100
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 100 - 240 | € 0,593 | € 5,93 |
| 250 - 490 | € 0,567 | € 5,67 |
| 500 - 990 | € 0,543 | € 5,43 |
| 1000+ | € 0,506 | € 5,06 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
2.9 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de boîtier
SOT-223-5
Séries
SIPMOS®
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
120 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2.1V
Dissipation de puissance maximum
1.8 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
9,7 nC @ 10 V
Largeur
3.5mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.5mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
1.6mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N Infineon SIPMOS®
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.


