MOSFET Infineon canal N, SOT-223 170 mA 400 V, 3 broches

N° de stock RS: 826-9257Marque: InfineonN° de pièce Mfr: BSP324H6327XTSA1Distrelec Article No.: 30283887
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Documents techniques

Spécifications

Brand

Infineon

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

170 mA

Tension Drain Source maximum

400 V

Séries

SIPMOS®

Type d'emballage

SOT-223-5

Type de montage

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

25 Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

2.3V

Tension de seuil minimale de la grille

1.3V

Dissipation de puissance maximum

1.8 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

6.5mm

Charge de Grille type @ Vgs

4,54 nC @ 10 V

Température d'utilisation maximum

150 °C

Largeur

3.5mm

Hauteur

1.6mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Détails du produit

Transistor MOSFET à canal N Infineon SIPMOS®

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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€ 25,63

€ 0,513 Each (In a Pack of 50) (hors TVA)

MOSFET Infineon canal N, SOT-223 170 mA 400 V, 3 broches
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Standard

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Standard - each

Disponible en multiples de 50.

Production -

Disponible en multiples de 50.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

50

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50€ 25,63
100€ 51,26
150€ 76,88
200€ 102,51
250€ 128,14
300€ 153,77
350€ 179,40
400€ 205,02
450€ 230,65
500€ 256,28
550€ 281,91
600€ 307,54
650€ 333,16
700€ 358,79
750€ 384,42

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SOT-223-5

Type de montage

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

25 Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

2.3V

Tension de seuil minimale de la grille

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Dissipation de puissance maximum

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Configuration du transistor

Single

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Matériau du transistor

Si

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Longueur

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Charge de Grille type @ Vgs

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Largeur

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Hauteur

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