Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
1.8 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Séries
OptiMOS™
Type de boîtier
SOT-223-5
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
270 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.8V
Tension de seuil minimale de la grille
0.8V
Dissipation de puissance maximum
1.8 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
3.5mm
Longueur
6.5mm
Charge de Grille type @ Vgs
9,5 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
1.6mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.1V
Pays d'origine
Malaysia
Détails du produit
Transistor de puissance MOSFET à petits signaux OptiMOS™ d'Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
€ 345,85
€ 0,346 Each (On a Reel of 1000) (hors TVA)
1000
€ 345,85
€ 0,346 Each (On a Reel of 1000) (hors TVA)
1000
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Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
---|---|---|
1000 - 1000 | € 0,346 | € 345,85 |
2000 - 2000 | € 0,328 | € 328,03 |
3000+ | € 0,308 | € 307,82 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
1.8 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Séries
OptiMOS™
Type de boîtier
SOT-223-5
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
270 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.8V
Tension de seuil minimale de la grille
0.8V
Dissipation de puissance maximum
1.8 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
3.5mm
Longueur
6.5mm
Charge de Grille type @ Vgs
9,5 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
1.6mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.1V
Pays d'origine
Malaysia
Détails du produit
Transistor de puissance MOSFET à petits signaux OptiMOS™ d'Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.