Transistor MOSFET Infineon canal N, SOT-23 170 mA 100 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
170 mA
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type d'emballage
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
6 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
0.36 W
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
1,78 nC @ 10 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
2.9mm
Largeur
1.3mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
1mm
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Prix sur demande
Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
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N
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Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
6 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
0.36 W
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
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1
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