MOSFET Infineon canal N, SOT-23 21 mA 600 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
21 mA
Tension Drain Source maximum
600 V
Type de conditionnement
SOT-23, TO-236
Séries
SIPMOS®
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
700 Ω
Mode de canal
Depletion
Tension de seuil maximale de la grille
1.6V
Tension de seuil minimale de la grille
2.7V
Dissipation de puissance maximum
0,5 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
2.9mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
1,4 nC @ 5 V
Largeur
1.3mm
Matériau du transistor
Si
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
1mm
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N Infineon SIPMOS®
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 8,31
€ 0,332 Each (In a Pack of 25) (hors TVA)
Standard
25
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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Température d'utilisation maximum
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Charge de Grille type @ Vgs
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Largeur
1.3mm
Matériau du transistor
Si
Température de fonctionnement minimum
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Hauteur
1mm
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