MOSFET Infineon canal N, SOT-23 21 mA 600 V, 3 broches

N° de stock RS: 753-2838PMarque: InfineonN° de pièce Mfr: BSS126H6327XTSA2
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Documents techniques

Spécifications

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

21 mA

Tension Drain Source maximum

600 V

Type de conditionnement

SOT-23, TO-236

Séries

SIPMOS®

Type de montage

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

700 Ω

Mode de canal

Depletion

Tension de seuil maximale de la grille

1.6V

Tension de seuil minimale de la grille

2.7V

Dissipation de puissance maximum

0,5 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

2.9mm

Température d'utilisation maximum

150 °C

Charge de Grille type @ Vgs

1,4 nC @ 5 V

Largeur

1.3mm

Matériau du transistor

Si

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Hauteur

1mm

Détails du produit

Transistor MOSFET à canal N Infineon SIPMOS®

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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Tension de seuil maximale de la grille

1.6V

Tension de seuil minimale de la grille

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Single

Tension Grille Source maximum

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1

Longueur

2.9mm

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Charge de Grille type @ Vgs

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Largeur

1.3mm

Matériau du transistor

Si

Température de fonctionnement minimum

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