MOSFET Infineon canal N, SOT-23 230 mA 60 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
230 mA
Tension Drain Source maximum
-60 V
Série
SIPMOS®
Type de conditionnement
TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
6 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.4V
Tension de seuil minimale de la grille
0.6V
Dissipation de puissance maximum
0.36 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
1.3mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
2.9mm
Charge de Grille type @ Vgs
1 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N Infineon SIPMOS®
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 130,24
€ 0,043 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
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| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | € 0,043 | € 130,24 |
| 6000 - 12000 | € 0,041 | € 123,20 |
| 15000+ | € 0,039 | € 116,16 |
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InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
230 mA
Tension Drain Source maximum
-60 V
Série
SIPMOS®
Type de conditionnement
TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
6 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.4V
Tension de seuil minimale de la grille
0.6V
Dissipation de puissance maximum
0.36 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
1.3mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
2.9mm
Charge de Grille type @ Vgs
1 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
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Transistor MOSFET à canal N Infineon SIPMOS®
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