MOSFET Infineon canal N, SOT-323 1,4 A 20 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
1.4 A
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Type de boîtier
SOT-323
Série
OptiMOS™ 2
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
240 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
0.75V
Tension de seuil minimale de la grille
0.3V
Dissipation de puissance maximum
0,5 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-8 V, +8 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
2mm
Charge de Grille type @ Vgs
0,6 nC @ 2,5 V
Largeur
1.25mm
Hauteur
0.8mm
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Tension directe de la diode
1.1V
Détails du produit
Famille de transistors de puissance MOSFET OptiMOS™2 d'Infineon
La famille Infineon OptiMOS™2 N-Canal offre la plus faible la résistance à l'état passant de l'industrie au sein de son groupe de tension. La série de transistor Power MOSFET peut être utilisée dans de nombreuses applications, y compris les télécommunications et communications haute fréquence, le solaire, les lecteurs basse tension et les alimentations de serveur. La famille de produits OptiMOS 2 offre des plages de 20 V et supérieures et propose une sélection de différents types de boîtiers.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 18,07
€ 0,06 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
300
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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N
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Série
OptiMOS™ 2
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
0.75V
Tension de seuil minimale de la grille
0.3V
Dissipation de puissance maximum
0,5 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-8 V, +8 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
+175 °C
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1
Longueur
2mm
Charge de Grille type @ Vgs
0,6 nC @ 2,5 V
Largeur
1.25mm
Hauteur
0.8mm
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Tension directe de la diode
1.1V
Détails du produit
Famille de transistors de puissance MOSFET OptiMOS™2 d'Infineon
La famille Infineon OptiMOS™2 N-Canal offre la plus faible la résistance à l'état passant de l'industrie au sein de son groupe de tension. La série de transistor Power MOSFET peut être utilisée dans de nombreuses applications, y compris les télécommunications et communications haute fréquence, le solaire, les lecteurs basse tension et les alimentations de serveur. La famille de produits OptiMOS 2 offre des plages de 20 V et supérieures et propose une sélection de différents types de boîtiers.
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