MOSFET Infineon canal N, TDSON 40 A 30 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
40 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Série
OptiMOS™
Type de boîtier
TDSON
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
8,6 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
26 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
3.4mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3.4mm
Charge de Grille type @ Vgs
5,2 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
1.1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1V
Détails du produit
Famille de transistors de puissance MOSFET OptiMOS™ d'Infineon
Les produits OptiMOS™ sont disponibles dans des boîtiers haute performance pour gérer les applications les plus difficiles ce qui donne une flexibilité totale dans les espaces réduits. Ces produits d'Infineon sont conçus pour répondre aux exigences de rendement énergétique et de densité de puissance des normes de régulation de tension des applications informatiques plus pointues de la prochaine génération et pour les dépasser.
Canal N - Mode d'enrichissement
Certifié AEC-Q101 automobile
MSL1 soudure par refusion jusqu'à 260 °C
Température d'utilisation de 175 °C
Boîtier vert (sans plomb)
Très faible RDS(on)
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
€ 9,39
€ 0,469 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
20
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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N
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Type de boîtier
TDSON
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
8,6 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
26 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
3.4mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3.4mm
Charge de Grille type @ Vgs
5,2 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
1.1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1V
Détails du produit
Famille de transistors de puissance MOSFET OptiMOS™ d'Infineon
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Canal N - Mode d'enrichissement
Certifié AEC-Q101 automobile
MSL1 soudure par refusion jusqu'à 260 °C
Température d'utilisation de 175 °C
Boîtier vert (sans plomb)
Très faible RDS(on)
MOSFET Transistors, Infineon
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