MOSFET Infineon canal P, TSDSON 40 A 30 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
40 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Série
OptiMOS P
Type de boîtier
TSDSON
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
13.4 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.9V
Tension de seuil minimale de la grille
3.1V
Dissipation de puissance maximum
69 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-25 V, +25 V
Largeur
3.4mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3.4mm
Charge de Grille type @ Vgs
43,2 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
1.1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistors MOSFET de puissance à canal P Infineon OptiMOS™
Les transistors de MOSFET de puissance à canal P Infineon OptiMOS™ sont conçus pour fournir des caractéristiques améliorées permettant d'atteindre des performances de qualité. Les caractéristiques incluent une perte de commutation ultra faible, la résistance à l'état passant, les valeurs nominales avalanche, ainsi que la conformité AEC pour les solutions automobiles. Les applications incluent le c.c.-c.c., la commande de moteur, l'automobile et eMobility.
Mode d'enrichissement
Résistance aux avalanches
Faibles pertes de puissance de commutation et conductivité
Placage sans plomb, conforme à la directive RoHS
Boîtiers standard
Série canal P OptiMOS™ : plage de température de -55 °C à +175 °C
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Idée. Créer. Collaborer
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€ 10,68
€ 0,534 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
20
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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P
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Série
OptiMOS P
Type de boîtier
TSDSON
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
13.4 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.9V
Tension de seuil minimale de la grille
3.1V
Dissipation de puissance maximum
69 W
Configuration du transistor
Single
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-25 V, +25 V
Largeur
3.4mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3.4mm
Charge de Grille type @ Vgs
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Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
1.1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
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Transistors MOSFET de puissance à canal P Infineon OptiMOS™
Les transistors de MOSFET de puissance à canal P Infineon OptiMOS™ sont conçus pour fournir des caractéristiques améliorées permettant d'atteindre des performances de qualité. Les caractéristiques incluent une perte de commutation ultra faible, la résistance à l'état passant, les valeurs nominales avalanche, ainsi que la conformité AEC pour les solutions automobiles. Les applications incluent le c.c.-c.c., la commande de moteur, l'automobile et eMobility.
Mode d'enrichissement
Résistance aux avalanches
Faibles pertes de puissance de commutation et conductivité
Placage sans plomb, conforme à la directive RoHS
Boîtiers standard
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MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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