MOSFET Infineon canal N, TDSON 20 A 60 V, 8 broches

N° de stock RS: 752-8255PMarque: InfineonN° de pièce Mfr: BSZ100N06LS3GATMA1
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Documents techniques

Spécifications

Brand

Infineon

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

20,2 A

Tension Drain Source maximum

-60 V

Série

OptiMOS™ 3

Type de boîtier

TDSON

Type de montage

CMS

Nombre de broche

8

Résistance Drain Source maximum

17.9 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

2.2V

Tension de seuil minimale de la grille

1.7V

Dissipation de puissance maximum

2.1 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Largeur

3.4mm

Matériau du transistor

Si

Charge de Grille type @ Vgs

15 nC @ 4,5 V

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

3.4mm

Température d'utilisation maximum

150 °C

Hauteur

1.1mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Détails du produit

Transistors MOSFET de puissance OptiMOS™3 d'Infineon, 60 à 80 V

Les produits OptiMOS™ sont disponibles dans des boîtiers haute performance pour gérer les applications les plus difficiles ce qui donne une flexibilité totale dans les espaces réduits. Ces produits d'Infineon sont conçus pour répondre aux exigences de rendement énergétique et de densité de puissance des normes de régulation de tension des applications informatiques plus pointues de la prochaine génération et pour les dépasser.

MOSFET à commutation rapide pour SMPS
Technologie optimisée pour convertisseurs c.c./c.c.
Homologué selon la norme JEDEC1 pour les applications ciblées
Canal N, niveau logique
Une excellente charge de grille x R DS(on) produit (FOM)
Très faible résistance R DS(on)
Placage compatible sans plomb

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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€ 4,49

€ 0,898 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)

MOSFET Infineon canal N, TDSON 20 A 60 V, 8 broches
Sélectionner le type d'emballage

Paquet de production (Bobine)

Sélectionner le type d'emballage

Standard - each

Disponible en multiples de 5.

Production -

Disponible en multiples de 5.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

5

Disponible en multiples de 5
5€ 4,49
10€ 8,98
15€ 13,47
20€ 17,96
25€ 22,45
30€ 26,94
35€ 31,42
40€ 35,91
45€ 40,40
50€ 44,89
55€ 49,38
60€ 53,87
65€ 58,36
70€ 62,85
75€ 67,34

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35€ 31,42
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45€ 40,40
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Type de boîtier

TDSON

Type de montage

CMS

Nombre de broche

8

Résistance Drain Source maximum

17.9 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

2.2V

Tension de seuil minimale de la grille

1.7V

Dissipation de puissance maximum

2.1 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Largeur

3.4mm

Matériau du transistor

Si

Charge de Grille type @ Vgs

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Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

3.4mm

Température d'utilisation maximum

150 °C

Hauteur

1.1mm

Température de fonctionnement minimum

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