Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
5 A
Tension Drain Source maximum
250 V
Type de boîtier
TSDSON
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
425 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
33,8 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
3.4mm
Charge de Grille type @ Vgs
4,2 nC @ 10 V
Largeur
3.4mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
1.1mm
Série
OptiMOS 3
Pays d'origine
Malaysia
Détails du produit
Transistors MOSFET d'alimentation Infineon OptiMOS™3, 100 V et au-delà
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Prix sur demande
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
5
Prix sur demande
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
5
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
5 A
Tension Drain Source maximum
250 V
Type de boîtier
TSDSON
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
425 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
33,8 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
3.4mm
Charge de Grille type @ Vgs
4,2 nC @ 10 V
Largeur
3.4mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
1.1mm
Série
OptiMOS 3
Pays d'origine
Malaysia
Détails du produit
Transistors MOSFET d'alimentation Infineon OptiMOS™3, 100 V et au-delà
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.


