MOSFET Infineon canal Dual N, Bac 1,8 kA 1700 V
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
Dual N
Courant continu de Drain maximum
1.8 kA
Tension Drain Source maximum
1700 V
Série
XHP
Type de conditionnement
Tray
Type de montage
Screw Mount
Mode de canal
Depletion
Nombre d'éléments par circuit
2
Matériau du transistor
SiC
Pays d'origine
Germany
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€ 1 510,43
€ 1 510,43 Each (hors TVA)
1
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