MOSFET Infineon canal Dual N, Bac 925 A 3300 V
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
Dual N
Courant continu de Drain maximum
925 A
Tension Drain Source maximum
3 300 V
Séries
XHP
Type de conditionnement
Tray
Type de montage
Screw Mount
Mode de canal
Enrichissement
Nombre d'éléments par circuit
2
Matériau du transistor
SiC
Pays d'origine
Germany
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Prix sur demande
1
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