Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
79 A
Tension Drain Source maximum
650 V
Série
CoolSiC MOSFET 650 V G1
Type de boîtier
PG-HSOF-8
Type de montage
CMS
Nombre de broches
8
Mode de canal
Enrichissement
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
SiC
€ 21,96
€ 21,96 Each (hors TVA)
Standard
1
€ 21,96
€ 21,96 Each (hors TVA)
Standard
1
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Quantité | Prix unitaire |
---|---|
1 - 9 | € 21,96 |
10 - 99 | € 19,77 |
100+ | € 18,23 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
79 A
Tension Drain Source maximum
650 V
Série
CoolSiC MOSFET 650 V G1
Type de boîtier
PG-HSOF-8
Type de montage
CMS
Nombre de broches
8
Mode de canal
Enrichissement
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
SiC