MOSFET Infineon canal N, PG-HSOF-8 44 A 650 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
44 A
Tension Drain Source maximum
650 V
Type de boîtier
PG-HSOF-8
Série
CoolSiC MOSFET 650 V G1
Type de montage
CMS
Nombre de broches
8
Mode de canal
Enrichissement
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
SiC
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Prix sur demande
Paquet de production (Bobine)
1
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