Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
32 A
Tension Drain Source maximum
650 V
Série
CoolSiC MOSFET 650 V G1
Type de conditionnement
PG-HSOF-8
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Mode de canal
Enrichissement
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
SiC
€ 8,67
€ 8,67 Each (hors TVA)
Standard
1
€ 8,67
€ 8,67 Each (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
1
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 9 | € 8,67 |
| 10 - 99 | € 7,81 |
| 100 - 499 | € 7,19 |
| 500 - 999 | € 6,68 |
| 1000+ | € 5,98 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
32 A
Tension Drain Source maximum
650 V
Série
CoolSiC MOSFET 650 V G1
Type de conditionnement
PG-HSOF-8
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Mode de canal
Enrichissement
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
SiC


