Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
35 A
Tension Drain Source maximum
650 V
Type de boîtier
TO247-4
Série
CoolSiC
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
4
Résistance Drain Source maximum
0,074 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5.7V
Matériau du transistor
Silicon
Nombre d'éléments par circuit
1
€ 5,41
€ 5,41 Each (hors TVA)
Standard
1
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InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
35 A
Tension Drain Source maximum
650 V
Type de boîtier
TO247-4
Série
CoolSiC
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
4
Résistance Drain Source maximum
0,074 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5.7V
Matériau du transistor
Silicon
Nombre d'éléments par circuit
1