MOSFET Infineon canal N, TO-220 FP 17 A 550 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
17 A
Tension Drain Source maximum
550 V
Série
CoolMOS CP
Type de conditionnement
TO-220 FP
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
199 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.5V
Tension de seuil minimale de la grille
2.5V
Dissipation de puissance maximum
139 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Longueur
10.65mm
Charge de Grille type @ Vgs
34 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
4.85mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Hauteur
16.15mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance Infineon CoolMOS™CP
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 103,19
€ 2,064 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.5V
Tension de seuil minimale de la grille
2.5V
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Single
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±30 V
Longueur
10.65mm
Charge de Grille type @ Vgs
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Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
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Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Hauteur
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Température de fonctionnement minimum
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Tension directe de la diode
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