MOSFET Infineon canal N, TO-220 FP 16 A 650 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
-16 A
Tension Drain Source maximum
650 V
Série
CoolMOS CP
Type de conditionnement
TO-220 FP
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
199 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.5V
Tension de seuil minimale de la grille
2.5V
Dissipation de puissance maximum
34 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
4.85mm
Longueur
10.65mm
Charge de Grille type @ Vgs
32 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Hauteur
16.15mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance Infineon CoolMOS™CP
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 146,38
€ 2,928 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
50
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| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 2,928 | € 146,38 |
| 100 - 200 | € 2,694 | € 134,68 |
| 250+ | € 2,547 | € 127,34 |
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N
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Type de conditionnement
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Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
199 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.5V
Tension de seuil minimale de la grille
2.5V
Dissipation de puissance maximum
34 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
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1
Largeur
4.85mm
Longueur
10.65mm
Charge de Grille type @ Vgs
32 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Hauteur
16.15mm
Pays d'origine
China
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