MOSFET Infineon canal N, TO-220 FP 8,1 A 600 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
8.1 A
Tension Drain Source maximum
600 V
Type de boîtier
TO-220 FP
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
520 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.5V
Tension de seuil minimale de la grille
2.5V
Dissipation de puissance maximum
66 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Longueur
10.36mm
Charge de Grille type @ Vgs
23,4 nC @ 10 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
4.57mm
Matériau du transistor
Si
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
0.9V
Hauteur
15.95mm
Série
CoolMOS E6
Détails du produit
Transistors MOSFET de puissance Infineon série CoolMOS™E6/P6
La gamme Infineon de transistors MOSFET série CoolMOS™E6 et P6. Ces dispositifs extrêmement efficaces peuvent être utilisés dans plusieurs applications, y compris la correction du facteur de puissance (PFC), l'éclairage et les appareils grand public, ainsi que l'énergie solaire, les télécommunications et les serveurs.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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Prix sur demande
Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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Through Hole
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3
Résistance Drain Source maximum
520 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.5V
Tension de seuil minimale de la grille
2.5V
Dissipation de puissance maximum
66 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Longueur
10.36mm
Charge de Grille type @ Vgs
23,4 nC @ 10 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
4.57mm
Matériau du transistor
Si
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
0.9V
Hauteur
15.95mm
Série
CoolMOS E6
Détails du produit
Transistors MOSFET de puissance Infineon série CoolMOS™E6/P6
La gamme Infineon de transistors MOSFET série CoolMOS™E6 et P6. Ces dispositifs extrêmement efficaces peuvent être utilisés dans plusieurs applications, y compris la correction du facteur de puissance (PFC), l'éclairage et les appareils grand public, ainsi que l'énergie solaire, les télécommunications et les serveurs.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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