Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
13.8 A
Tension Drain Source maximum
700 V
Type de conditionnement
A-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
280 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.5V
Tension de seuil minimale de la grille
2.5V
Dissipation de puissance maximum
32 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
10.65mm
Charge de Grille type @ Vgs
45 nC V @ 10
Largeur
4.85mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Hauteur
16.15mm
Série
CoolMOS E6
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistors MOSFET de puissance Infineon série CoolMOS™E6/P6
La gamme Infineon de transistors MOSFET série CoolMOS™E6 et P6. Ces dispositifs extrêmement efficaces peuvent être utilisés dans plusieurs applications, y compris la correction du facteur de puissance (PFC), l'éclairage et les appareils grand public, ainsi que l'énergie solaire, les télécommunications et les serveurs.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Prix sur demande
Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
Prix sur demande
Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
5
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
13.8 A
Tension Drain Source maximum
700 V
Type de conditionnement
A-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
280 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.5V
Tension de seuil minimale de la grille
2.5V
Dissipation de puissance maximum
32 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
10.65mm
Charge de Grille type @ Vgs
45 nC V @ 10
Largeur
4.85mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Hauteur
16.15mm
Série
CoolMOS E6
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistors MOSFET de puissance Infineon série CoolMOS™E6/P6
La gamme Infineon de transistors MOSFET série CoolMOS™E6 et P6. Ces dispositifs extrêmement efficaces peuvent être utilisés dans plusieurs applications, y compris la correction du facteur de puissance (PFC), l'éclairage et les appareils grand public, ainsi que l'énergie solaire, les télécommunications et les serveurs.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.


