MOSFET Infineon canal N, TO-220 FP 10,3 A 600 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
10.3 A
Tension Drain Source maximum
600 V
Séries
CoolMOS™ CE
Type de boîtier
TO-220 FP
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
1.4 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.5V
Tension de seuil minimale de la grille
2.5V
Dissipation de puissance maximum
28 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
4.9mm
Longueur
11.3mm
Charge de Grille type @ Vgs
20,5 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Tension directe de la diode
0.9V
Taille
16.27mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance Infineon CoolMOS™ CE
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 1,89
€ 0,378 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
5
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.5V
Tension de seuil minimale de la grille
2.5V
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Single
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1
Largeur
4.9mm
Longueur
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Charge de Grille type @ Vgs
20,5 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
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Tension directe de la diode
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Taille
16.27mm
Pays d'origine
China
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