MOSFET Infineon canal N, D2PAK-7 180 A 60 V, 7 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
180 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Série
OptiMOS™ 5
Type d'emballage
D2PAK-7
Type de montage
CMS
Nombre de broche
7
Résistance Drain Source maximum
1.5 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
300 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
4.57mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.31mm
Charge de Grille type @ Vgs
208 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Taille
9.45mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
4.2V
Détails du produit
Transistors de puissance MOSFET OptiMOS™5 d'Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 13,58
€ 6,791 Each (In a Pack of 2) (hors TVA)
Standard
2
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Standard
2
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 2 - 18 | € 6,791 | € 13,58 |
| 20 - 98 | € 5,791 | € 11,58 |
| 100 - 198 | € 5,02 | € 10,04 |
| 200 - 498 | € 4,751 | € 9,50 |
| 500+ | € 4,249 | € 8,50 |
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N
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Tension Drain Source maximum
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Série
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Type de montage
CMS
Nombre de broche
7
Résistance Drain Source maximum
1.5 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
300 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
4.57mm
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Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.31mm
Charge de Grille type @ Vgs
208 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Taille
9.45mm
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