MOSFET Infineon canal N, D2PAK-7 180 A 60 V, 7 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
180 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de boîtier
D2PAK-7
Type de montage
CMS
Nombre de broche
7
Résistance Drain Source maximum
2,1 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
214 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
11.05mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Longueur
10.31mm
Charge de Grille type @ Vgs
106 nC @ 10 V
Hauteur
4.57mm
Série
OptiMOS 5
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Détails du produit
Transistors de puissance MOSFET OptiMOS™5 d'Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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Prix sur demande
Each (In a Pack of 4) (hors TVA)
Standard
4
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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Largeur
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Si
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Température d'utilisation maximum
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Longueur
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Charge de Grille type @ Vgs
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Hauteur
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Série
OptiMOS 5
Température de fonctionnement minimum
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MOSFET Transistors, Infineon
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