MOSFET Infineon canal N, TO 263 176 A 100 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
176 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Séries
OptiMOS™ 5
Type de conditionnement
TO 263
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
2,5 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.8V
Tension de seuil minimale de la grille
2.2V
Dissipation de puissance maximum
375 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
20 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
11.05mm
Longueur
10.31mm
Charge de Grille type @ Vgs
168 nC @ 10 V
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Hauteur
4.57mm
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€ 2 580,57
€ 2,581 Each (On a Reel of 1000) (hors TVA)
1000
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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3
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.8V
Tension de seuil minimale de la grille
2.2V
Dissipation de puissance maximum
375 W
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Single
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20 V
Température d'utilisation maximum
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1
Largeur
11.05mm
Longueur
10.31mm
Charge de Grille type @ Vgs
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