Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
120 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Série
OptiMOS™ 3
Type de boîtier
D2PAK (TO-263)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
4,5 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.5V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
300 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
9.45mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.31mm
Charge de Grille type @ Vgs
155 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Hauteur
4.57mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistors MOSFET d'alimentation Infineon OptiMOS™3, 100 V et au-delà
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
€ 5,21
€ 2,603 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
2
€ 5,21
€ 2,603 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
2
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
120 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Série
OptiMOS™ 3
Type de boîtier
D2PAK (TO-263)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
4,5 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.5V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
300 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
9.45mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.31mm
Charge de Grille type @ Vgs
155 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Hauteur
4.57mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistors MOSFET d'alimentation Infineon OptiMOS™3, 100 V et au-delà
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.


