MOSFET Infineon canal N, D2PAK (TO-263) 84 A 200 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
84 A
Tension Drain Source maximum
200 V
Type de boîtier
D2PAK (TO-263)
Série
OptiMOS FD
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
11,7 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
300 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Longueur
10.31mm
Charge de Grille type @ Vgs
65 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+170 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
9.45mm
Matériau du transistor
Si
Tension directe de la diode
1.2V
Taille
4.57mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor de puissance MOSFET FD Infineon OptiMOS™
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 4,46
€ 2,228 Each (Supplied as a Tape) (hors TVA)
Standard
2
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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Tension de seuil maximale de la grille
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Tension de seuil minimale de la grille
2V
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Single
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±20 V
Longueur
10.31mm
Charge de Grille type @ Vgs
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Température d'utilisation maximum
+170 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
9.45mm
Matériau du transistor
Si
Tension directe de la diode
1.2V
Taille
4.57mm
Température de fonctionnement minimum
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Transistor de puissance MOSFET FD Infineon OptiMOS™
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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