MOSFET Infineon canal N, D2PAK (TO-263) 120 A 60 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
120 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de boîtier
D2PAK (TO-263)
Série
OptiMOS™ -T2
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
2,8 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
188 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Longueur
10mm
Charge de Grille type @ Vgs
150 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
9.25mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
4.4mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor de puissance MOSFET OptiMOS™ T2 d'Infineon
La nouvelle gamme OptiMOS™ -T2 d'Infineon se compose de transistors MOSFET éco-énergétiques avec réduction du CO2 et entraînements électriques. La nouvelle famille de produits OptiMOS™ -T2 vient compléter les familles de produits existantes OptiMOS™ -T et OptiMOS™.
Les produits OptiMOS™ sont disponibles dans des boîtiers haute performance pour gérer les applications les plus difficiles ce qui donne une flexibilité totale dans les espaces réduits. Ces produits d'Infineon sont conçus pour répondre aux exigences de rendement énergétique et de densité de puissance des normes de régulation de tension des applications informatiques plus pointues de la prochaine génération et pour les dépasser.
Canal N - Mode d'enrichissement
Qualifié AEC
MSL1 soudure par refusion jusqu'à 260 °C
Température d'utilisation de 175 °C
Produit vert (conforme à la norme RoHS)
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 1 334,02
€ 1,334 Each (On a Reel of 1000) (hors TVA)
1000
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N
Courant continu de Drain maximum
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Tension Drain Source maximum
-60 V
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Série
OptiMOS™ -T2
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
2,8 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
188 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Longueur
10mm
Charge de Grille type @ Vgs
150 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
9.25mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
4.4mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor de puissance MOSFET OptiMOS™ T2 d'Infineon
La nouvelle gamme OptiMOS™ -T2 d'Infineon se compose de transistors MOSFET éco-énergétiques avec réduction du CO2 et entraînements électriques. La nouvelle famille de produits OptiMOS™ -T2 vient compléter les familles de produits existantes OptiMOS™ -T et OptiMOS™.
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Canal N - Mode d'enrichissement
Qualifié AEC
MSL1 soudure par refusion jusqu'à 260 °C
Température d'utilisation de 175 °C
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MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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