MOSFET Infineon canal N, D2PAK (TO-263) 64 A 250 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
64 A
Tension Drain Source maximum
250 V
Série
OptiMOS™ 3
Type de boîtier
D2PAK (TO-263)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
20 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
300 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
9.45mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.31mm
Charge de Grille type @ Vgs
64 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Taille
4.57mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistors MOSFET d'alimentation Infineon OptiMOS™3, 100 V et au-delà
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 3 560,48
€ 3,56 Each (On a Reel of 1000) (hors TVA)
1000
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CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
20 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
300 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
9.45mm
Matériau du transistor
Si
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1
Longueur
10.31mm
Charge de Grille type @ Vgs
64 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Taille
4.57mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Pays d'origine
China
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