MOSFET Infineon canal N, D2PAK (TO-263) 25 A 250 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
25 A
Tension Drain Source maximum
250 V
Séries
OptiMOS™ 3
Type de conditionnement
D2PAK (TO-263)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
60 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
136 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.31mm
Charge de Grille type @ Vgs
22 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Largeur
9.45mm
Matériau du transistor
Si
Taille
4.57mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistors MOSFET d'alimentation Infineon OptiMOS™3, 100 V et au-delà
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 21,24
€ 2,124 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
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Standard
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 10 - 10 | € 2,124 | € 21,24 |
| 20 - 40 | € 2,018 | € 20,18 |
| 50 - 90 | € 1,932 | € 19,32 |
| 100 - 240 | € 1,848 | € 18,48 |
| 250+ | € 1,72 | € 17,20 |
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N
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25 A
Tension Drain Source maximum
250 V
Séries
OptiMOS™ 3
Type de conditionnement
D2PAK (TO-263)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
60 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
136 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.31mm
Charge de Grille type @ Vgs
22 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Largeur
9.45mm
Matériau du transistor
Si
Taille
4.57mm
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