MOSFET Infineon canal N, D2PAK (TO-263) 31 A 600 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
31 A
Tension Drain Source maximum
600 V
Type de conditionnement
D2PAK (TO-263)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
105 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
20V
Tension de seuil minimale de la grille
20V
Dissipation de puissance maximum
255 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
60 nC V @ 10
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
10.31mm
Largeur
9.45mm
Matériau du transistor
Si
Taille
4.57mm
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Série
CoolMOS CP
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance Infineon CoolMOS™CP
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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Prix sur demande
Standard
1
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
20V
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Configuration du transistor
Single
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±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
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1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
10.31mm
Largeur
9.45mm
Matériau du transistor
Si
Taille
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Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Série
CoolMOS CP
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Transistor MOSFET de puissance Infineon CoolMOS™CP
MOSFET Transistors, Infineon
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