MOSFET Infineon canal N, D2PAK (TO-263) 23,8 A 650 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
23,8 A
Tension Drain Source maximum
650 V
Type de boîtier
D2PAK (TO-263)
Séries
CoolMOS™ P6
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
160 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4.5V
Tension de seuil minimale de la grille
3.5V
Dissipation de puissance maximum
176 W
Tension Grille Source maximum
±30 V
Longueur
10.31mm
Charge de Grille type @ Vgs
44 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
4.57mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
0.9V
Hauteur
9.45mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistors MOSFET de puissance Infineon série CoolMOS™E6/P6
La gamme Infineon de transistors MOSFET série CoolMOS™E6 et P6. Ces dispositifs extrêmement efficaces peuvent être utilisés dans plusieurs applications, y compris la correction du facteur de puissance (PFC), l'éclairage et les appareils grand public, ainsi que l'énergie solaire, les télécommunications et les serveurs.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 1 309,06
€ 1,309 Each (On a Reel of 1000) (hors TVA)
1000
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Séries
CoolMOS™ P6
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
160 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4.5V
Tension de seuil minimale de la grille
3.5V
Dissipation de puissance maximum
176 W
Tension Grille Source maximum
±30 V
Longueur
10.31mm
Charge de Grille type @ Vgs
44 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
4.57mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
0.9V
Hauteur
9.45mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistors MOSFET de puissance Infineon série CoolMOS™E6/P6
La gamme Infineon de transistors MOSFET série CoolMOS™E6 et P6. Ces dispositifs extrêmement efficaces peuvent être utilisés dans plusieurs applications, y compris la correction du facteur de puissance (PFC), l'éclairage et les appareils grand public, ainsi que l'énergie solaire, les télécommunications et les serveurs.
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