MOSFET Infineon canal N, D2PAK (TO-263) 64 A 250 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
64 A
Tension Drain Source maximum
250 V
Séries
OptiMOS™-T
Type de conditionnement
D2PAK (TO-263)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
20 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
300 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
10.25mm
Longueur
10mm
Charge de Grille type @ Vgs
67 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Hauteur
4.4mm
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€ 3 625,03
€ 3,625 Each (On a Reel of 1000) (hors TVA)
1000
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Nombre de broche
3
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
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Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
10.25mm
Longueur
10mm
Charge de Grille type @ Vgs
67 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
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