MOSFET Infineon canal N, D2PAK (TO-263) 80 A 30 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
80 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de boîtier
D2PAK (TO-263)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
5 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.2V
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
94 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-16 V, +16 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Longueur
10.31mm
Charge de Grille type @ Vgs
60 nC V @ 10
Largeur
9.45mm
Matériau du transistor
Si
Série
OptiMOS T2
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.3V
Hauteur
4.572mm
Détails du produit
Transistor de puissance MOSFET OptiMOS™ T2 d'Infineon
La nouvelle gamme OptiMOS™ -T2 d'Infineon se compose de transistors MOSFET éco-énergétiques avec réduction du CO2 et entraînements électriques. La nouvelle famille de produits OptiMOS™ -T2 vient compléter les familles de produits existantes OptiMOS™ -T et OptiMOS™.
Les produits OptiMOS™ sont disponibles dans des boîtiers haute performance pour gérer les applications les plus difficiles ce qui donne une flexibilité totale dans les espaces réduits. Ces produits d'Infineon sont conçus pour répondre aux exigences de rendement énergétique et de densité de puissance des normes de régulation de tension des applications informatiques plus pointues de la prochaine génération et pour les dépasser.
Canal N - Mode d'enrichissement
Qualifié AEC
MSL1 soudure par refusion jusqu'à 260 °C
Température d'utilisation de 175 °C
Produit vert (conforme à la norme RoHS)
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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Prix sur demande
Each (In a Pack of 20) (hors TVA)
Standard
20
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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N
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Tension Drain Source maximum
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Type de boîtier
D2PAK (TO-263)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
5 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.2V
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
94 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-16 V, +16 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Longueur
10.31mm
Charge de Grille type @ Vgs
60 nC V @ 10
Largeur
9.45mm
Matériau du transistor
Si
Série
OptiMOS T2
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.3V
Hauteur
4.572mm
Détails du produit
Transistor de puissance MOSFET OptiMOS™ T2 d'Infineon
La nouvelle gamme OptiMOS™ -T2 d'Infineon se compose de transistors MOSFET éco-énergétiques avec réduction du CO2 et entraînements électriques. La nouvelle famille de produits OptiMOS™ -T2 vient compléter les familles de produits existantes OptiMOS™ -T et OptiMOS™.
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Canal N - Mode d'enrichissement
Qualifié AEC
MSL1 soudure par refusion jusqu'à 260 °C
Température d'utilisation de 175 °C
Produit vert (conforme à la norme RoHS)
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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