MOSFET Infineon canal N, DPAK (TO-252) 90 A 60 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
90 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Séries
OptiMOS™ 5
Type d'emballage
DPAK (TO-252)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
3,8 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
167 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
6.22mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.73mm
Charge de Grille type @ Vgs
71 nC @ 30 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Taille
2.41mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Détails du produit
Transistors de puissance MOSFET OptiMOS™5 d'Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 9,60
€ 2,401 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
4
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Enrichissement
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167 W
Configuration du transistor
Single
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±20 V
Largeur
6.22mm
Matériau du transistor
Si
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1
Longueur
6.73mm
Charge de Grille type @ Vgs
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Température d'utilisation maximum
+175 °C
Taille
2.41mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Détails du produit
Transistors de puissance MOSFET OptiMOS™5 d'Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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