Transistor MOSFET Infineon canal N, TO-252 100 A 60 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
100 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de boîtier
TO-252
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
3,4 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
167 W
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Longueur
6.73mm
Charge de Grille type @ Vgs
98 nF @ 10 V
Largeur
6.223mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
2.413mm
Pays d'origine
Malaysia
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Prix sur demande
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
5
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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5
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CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
3,4 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
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167 W
Tension Grille Source maximum
±20 V
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1
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Longueur
6.73mm
Charge de Grille type @ Vgs
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Largeur
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