MOSFET Infineon canal N, PG-TO252-3 120 A 60 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
120 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de boîtier
PG-TO252-3
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Mode de canal
Enrichissement
Nombre d'éléments par circuit
2
Matériau du transistor
SiC
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€ 750,09
€ 0,375 Each (On a Reel of 2000) (hors TVA)
2000
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
2000
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| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 2000 - 2000 | € 0,375 | € 750,09 |
| 4000+ | € 0,365 | € 729,63 |
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Tension Drain Source maximum
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Type de boîtier
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