MOSFET Infineon canal N, TO-252 90 A 80 V, 3 broches

N° de stock RS: 171-1937PMarque: InfineonN° de pièce Mfr: IPD053N08N3GATMA1
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Documents techniques

Spécifications

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

90 A

Tension Drain Source maximum

80 V

Série

OptiMOS™ 3

Type d'emballage

TO-252

Type de montage

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

9,5 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

3.5V

Tension de seuil minimale de la grille

2V

Dissipation de puissance maximum

150000 mW

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

20 V

Largeur

7.36mm

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

6.73mm

Charge de Grille type @ Vgs

52 nC @ 10 V

Température d'utilisation maximum

+175 °C

Taille

2.41mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Tension directe de la diode

1.2V

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€ 1,156 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)

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Type de montage

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

9,5 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

3.5V

Tension de seuil minimale de la grille

2V

Dissipation de puissance maximum

150000 mW

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

20 V

Largeur

7.36mm

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

6.73mm

Charge de Grille type @ Vgs

52 nC @ 10 V

Température d'utilisation maximum

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