MOSFET Infineon canal N, DPAK (TO-252) 30 A 75 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
30 A
Tension Drain Source maximum
75 V
Séries
OptiMOS™
Type de conditionnement
DPAK (TO-252)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
26 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2.1V
Dissipation de puissance maximum
136 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
6.22mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.73mm
Charge de Grille type @ Vgs
56 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Taille
2.41mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Famille de transistors de puissance MOSFET OptiMOS™ d'Infineon
Les produits OptiMOS™ sont disponibles dans des boîtiers haute performance pour gérer les applications les plus difficiles ce qui donne une flexibilité totale dans les espaces réduits. Ces produits d'Infineon sont conçus pour répondre aux exigences de rendement énergétique et de densité de puissance des normes de régulation de tension des applications informatiques plus pointues de la prochaine génération et pour les dépasser.
Canal N - Mode d'enrichissement
Certifié AEC-Q101 automobile
MSL1 soudure par refusion jusqu'à 260 °C
Température d'utilisation de 175 °C
Boîtier vert (sans plomb)
Très faible RDS(on)
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 49,28
€ 0,986 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
50
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Paquet de production (Bobine)
50
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Veuillez vérifier à nouveau plus tard.
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 50 - 100 | € 0,986 | € 24,64 |
| 125 - 225 | € 0,925 | € 23,11 |
| 250 - 600 | € 0,862 | € 21,56 |
| 625+ | € 0,80 | € 20,00 |
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InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
30 A
Tension Drain Source maximum
75 V
Séries
OptiMOS™
Type de conditionnement
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Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
26 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2.1V
Dissipation de puissance maximum
136 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
6.22mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.73mm
Charge de Grille type @ Vgs
56 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Taille
2.41mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Famille de transistors de puissance MOSFET OptiMOS™ d'Infineon
Les produits OptiMOS™ sont disponibles dans des boîtiers haute performance pour gérer les applications les plus difficiles ce qui donne une flexibilité totale dans les espaces réduits. Ces produits d'Infineon sont conçus pour répondre aux exigences de rendement énergétique et de densité de puissance des normes de régulation de tension des applications informatiques plus pointues de la prochaine génération et pour les dépasser.
Canal N - Mode d'enrichissement
Certifié AEC-Q101 automobile
MSL1 soudure par refusion jusqu'à 260 °C
Température d'utilisation de 175 °C
Boîtier vert (sans plomb)
Très faible RDS(on)
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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