Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
14.1 A
Tension Drain Source maximum
550 V
Type de boîtier
DPAK (TO-252)
Série
CoolMOS™ CE
Type de fixation
CMS
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
380 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.5V
Tension de seuil minimale de la grille
2.5V
Dissipation de puissance maximum
98 W
Tension Grille Source maximum
±30 V
Longueur
6.73mm
Charge de Grille type @ Vgs
24,8 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
6.22mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Taille
2.41mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
0.85V
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance Infineon CoolMOS™ CE
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
€ 8,35
€ 0,835 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
€ 8,35
€ 0,835 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
10
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
---|---|---|
10 - 40 | € 0,835 | € 8,35 |
50 - 490 | € 0,795 | € 7,95 |
500 - 990 | € 0,574 | € 5,74 |
1000 - 2490 | € 0,475 | € 4,75 |
2500+ | € 0,464 | € 4,64 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
14.1 A
Tension Drain Source maximum
550 V
Type de boîtier
DPAK (TO-252)
Série
CoolMOS™ CE
Type de fixation
CMS
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
380 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.5V
Tension de seuil minimale de la grille
2.5V
Dissipation de puissance maximum
98 W
Tension Grille Source maximum
±30 V
Longueur
6.73mm
Charge de Grille type @ Vgs
24,8 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
6.22mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Taille
2.41mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
0.85V
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance Infineon CoolMOS™ CE
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.