MOSFET Infineon canal N, TO-252 1,9 A 800 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
1.9 A
Tension Drain Source maximum
800 V
Séries
CoolMOS™ P7
Type de boîtier
TO-252
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
3,3 O
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.5V
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
Si
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€ 543,74
€ 0,217 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)
2500
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