MOSFET Infineon canal P, DPAK (TO-252) 90 A 40 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
90 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Séries
OptiMOS P
Type de conditionnement
DPAK (TO-252)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
6.6 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.2V
Tension de seuil minimale de la grille
1.2V
Dissipation de puissance maximum
125 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-16 V, +16 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.73mm
Charge de Grille type @ Vgs
135 nF @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Largeur
6.22mm
Matériau du transistor
Si
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
2.41mm
Détails du produit
Transistors MOSFET de puissance à canal P Infineon OptiMOS™
Les transistors de MOSFET de puissance à canal P Infineon OptiMOS™ sont conçus pour fournir des caractéristiques améliorées permettant d'atteindre des performances de qualité. Les caractéristiques incluent une perte de commutation ultra faible, la résistance à l'état passant, les valeurs nominales avalanche, ainsi que la conformité AEC pour les solutions automobiles. Les applications incluent le c.c.-c.c., la commande de moteur, l'automobile et eMobility.
Mode d'enrichissement
Résistance aux avalanches
Faibles pertes de puissance de commutation et conductivité
Placage sans plomb, conforme à la directive RoHS
Boîtiers standard
Série canal P OptiMOS™ : plage de température de -55 °C à +175 °C
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
€ 82,89
€ 2,072 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
40
€ 82,89
€ 2,072 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
40
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Veuillez vérifier à nouveau plus tard.
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 40 - 80 | € 2,072 | € 41,45 |
| 100 - 180 | € 1,985 | € 39,69 |
| 200 - 480 | € 1,898 | € 37,96 |
| 500+ | € 1,767 | € 35,34 |
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
90 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Séries
OptiMOS P
Type de conditionnement
DPAK (TO-252)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
6.6 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.2V
Tension de seuil minimale de la grille
1.2V
Dissipation de puissance maximum
125 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-16 V, +16 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.73mm
Charge de Grille type @ Vgs
135 nF @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Largeur
6.22mm
Matériau du transistor
Si
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
2.41mm
Détails du produit
Transistors MOSFET de puissance à canal P Infineon OptiMOS™
Les transistors de MOSFET de puissance à canal P Infineon OptiMOS™ sont conçus pour fournir des caractéristiques améliorées permettant d'atteindre des performances de qualité. Les caractéristiques incluent une perte de commutation ultra faible, la résistance à l'état passant, les valeurs nominales avalanche, ainsi que la conformité AEC pour les solutions automobiles. Les applications incluent le c.c.-c.c., la commande de moteur, l'automobile et eMobility.
Mode d'enrichissement
Résistance aux avalanches
Faibles pertes de puissance de commutation et conductivité
Placage sans plomb, conforme à la directive RoHS
Boîtiers standard
Série canal P OptiMOS™ : plage de température de -55 °C à +175 °C
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.