MOSFET Infineon canal N, A-220 120 A 60 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
120 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Série
OptiMOS™ 5
Type de boîtier
TO-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
3 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
214 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.36mm
Charge de Grille type @ Vgs
106 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Largeur
4.57mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Hauteur
15.95mm
Détails du produit
Transistors de puissance MOSFET OptiMOS™5 d'Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 74,78
€ 2,991 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
25
€ 74,78
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Tube)
25
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| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 25 - 45 | € 2,991 | € 14,96 |
| 50 - 120 | € 2,794 | € 13,97 |
| 125 - 245 | € 2,593 | € 12,97 |
| 250+ | € 2,428 | € 12,14 |
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N
Courant continu de Drain maximum
120 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Série
OptiMOS™ 5
Type de boîtier
TO-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
3 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
214 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.36mm
Charge de Grille type @ Vgs
106 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Largeur
4.57mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Hauteur
15.95mm
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MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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